Electrónica básica para ingenieros

Electrónica básica para ingenieros

  • Author: Ruiz Robredo, Gustavo Adolfo
  • Publisher: Ediciones Universidad de Cantabria
  • eISBN Pdf: 9788481029376
  • Place of publication:  Santander , Spain
  • Year of publication: 2020
  • Pages: 456
El objetivo de esta publicación es proporcionar una herramienta de ayuda didáctica que permita adquirir los conocimientos básicos de electrónica necesarios en los estudios de Ingeniería. Desde el punto de vista académico, este texto ha sido dotado de una estructura y organización adecuada para lograr una fácil comprensión de la materia de forma lógica y ordenada. Su fuerte componente práctica constituye una base idónea para abordar una futura especialización en cualquiera de los campos de la Electrónica. Esta obra está destinada a aquellas personas que, teniendo unos conocimientos previos de las herramientas de análisis de circuitos, quieran adquirir una visión práctica del análisis y diseño de los circuitos electrónicos. Aquí, se pierde la idea del dispositivo como elemento aislado y se estudia como elemento constitutivo de un circuito más complejo y en muchos casos de un sistema integrado. En un primer bloque se proporciona una visión global y práctica de los conceptos de polarización, respuesta en frecuencia y realimentación, y se estudian los amplificadores diferenciales y etapas de potencia. En un segundo bloque se presentan las aplicaciones más comunes de los sistemas electrónicos integrados como son los amplificadores operacionales, comparadores y reguladores de tensión, para finalizar con una introducción a los tiristores como dispositivos de control de potencia. En todo el texto se hace continua referencia a circuitos integrados comerciales y se incluyen al final del libro hojas de datos con las especificaciones técnicas de los fabricantes.
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  • Índice
  • Prefacio
  • Breve reseña histórica sobre la electrónica
    • I. Una breve introducción sobre la historia de la electrónica
    • II. Los orígenes de la electrónica
    • III. El auge de los tubos termoiónicos
    • IV. El auge de los semiconductores
    • V. El transistor y los orígenes de la tecnología de semiconductores
    • VI. El circuito integrado
    • VII. El microprocesador
    • Untitled
  • 1. Características del transistor bipolar y FET: polarización
    • 1.1 Corrientes en un transistor de unión o BJT
    • 1.2 Modos de operación de un transistor bipolar
      • 1.2.1 Región activa lineal
      • 1.2.2 Región de corte
      • 1.2.3 Región de saturación
      • 1.2.4 Región de ruptura
      • 1.2.5 Zona inversa
    • 1.3 Concepto de punto de trabajo y recta de carga estática
      • 1.3.1 Potencia de disipación estática máxima
      • 1.3.2 Circuitos de polarización de transistores bipolares
    • 1.4 Transistores de efecto de campo
    • 1.5 Características eléctricas del JFET
      • 1.5.1 Región de corte
      • 1.5.2 Región lineal
      • 1.5.3 Región de saturación
      • 1.5.4 Región de ruptura
    • 1.6 Transistores MOSFET
    • 1.7 Polarización de los JFET
    • 1.8 Estabilidad de polarización
      • 1.8.1 Variación de los parámetros de un BJT
      • 1.8.2 Variación de los parámetros de un FET
      • 1.8.3 Análisis mediante factores de estabilidad: aplicación a un amplificador bipolar
      • 1.8.4 Compensación de temperatura mediante la polarización por diodo
    • 1.9 Problemas
  • 2. Amplificadores con transistores: modelos de pequeña señal
    • 2.1 Teoría de redes bi-puerta
    • 2.2 Análisis de un circuito empleando parámetros {H}
    • 2.3 Modelo híbrido {H} de un transistor bipolar
    • 2.4 Configuraciones básicas de los transistores bipolares
    • 2.5 Ejemplo de análisis de un amplificador básico
    • 2.6 Par Darlington
    • 2.7 Modelo o de Giacoletto
    • 2.8 Modelo de pequeña señal para transistores FET
    • 2.9 Amplificadores multi-etapa
    • 2.10 Problemas
  • 3. Respuesta en frecuencia de los amplificadores
    • 3.1 Consideraciones generales sobre frecuencia
    • 3.2 Análisis de baja frecuencia: Diagrama de Bode
    • 3.3 Respuesta a baja frecuencia de amplificadores básicos
    • 3.4 Teorema de Miller
    • 3.5 Respuesta a alta frecuencia de transistores
      • 3.5.1 Modelo de alta frecuencia de transistores bipolares
      • 3.5.2 E-C en frecuencias altas: efecto Miller
      • 3.5.3 E-C con resistencia de emisor en frecuencias altas
      • 3.5.4 C-C en frecuencias altas
      • 3.5.5 B-C en frecuencias altas
      • 3.5.6 Modelo de alta frecuencia de transistores FET
    • 3.6 Respuesta en frecuencia de amplificadores multietapa
    • 3.7 Problemas
  • 4. Amplificadores realimentados
    • 4.1 Teoría básica de realimentación
    • 4.2 Clasificación de los amplificadores
    • 4.3 Configuraciones básicas de los amplificadores realimentados
    • 4.4 Realimentación de tensión en serie
    • 4.5 Realimentación de corriente en paralelo
    • 4.6 Realimentación de tensión en paralelo
    • 4.7 Realimentación de intensidad en serie
    • 4.8 Tabla resumen de amplificadores realimentados
    • 4.9 Problemas
  • 5. Fuentes de corriente y cargas activas
    • 5.1 Espejo de corriente bipolar
    • 5.2 Fuentes de corriente simples FET
    • 5.3 Fuente de corriente Widlar
    • 5.4 Otras fuentes de corriente
    • 5.5 Fuentes de corriente independientes de la tensión de polarización
    • 5.6 Fuente de corriente como carga activa
    • 5.7 Problemas
  • 6. Amplificador diferencial
    • 6.1 Análisis de un amplificador diferencial básico bipolar
      • 6.1.1 Análisis en continua
      • 6.1.2 Análisis de las configuraciones en modo común y diferencial
    • 6.2 Amplificador diferencial bipolar con fuente de corriente
      • 6.2.1 Amplificador diferencial con carga activa
      • 6.2.2 Ejemplo de un amplificador diferencial bipolar complejo
    • 6.3 Amplificadores diferenciales FET
    • 6.4 Problemas
  • 7. Amplificadores de potencia y consideraciones térmico-ambientales
    • 7.1 Cálculos de potencia
    • 7.2 Etapa de salida clase A
    • 7.3 Etapa de salida clase B (Push-Pull)
    • 7.4 Etapa de salida clase AB (Push-Pull)
    • 7.5 Protección contra sobrecarga
    • 7.6 Distorsión armónica
    • 7.7 Amplificadores de potencia integrados
    • 7.8 Consideraciones térmico-ambientales
    • 7.9 Dispositivos de potencia
    • 7.10 Problemas
  • 8. El amplificador operacional: fundamentos y aplicaciones básicas
    • 8.1 El OA ideal
    • 8.2 Configuraciones básicas del OA
    • 8.3 Otras configuraciones básicas del OA
    • 8.4 Algunas Limitaciones del OA
      • 8.4.1 Tensiones y corrientes off-set de entrada
      • 8.4.2 Parámetros de frecuencia
      • 8.4.3 Slew-Rate
      • 8.4.4 Otros parámetros
    • 8.5 Problemas
  • 9. Comparadores de tensión
    • 9.1 Comparadores de tensión monolíticos
    • 9.2 Algunas aplicaciones de los comparadores de tensión
      • 9.2.1 Detector de nivel
      • 9.2.2 Detector de ventana
      • 9.2.3 Medidor gráfico de barras
    • 9.3 Disparador Schmitt o disparador con histérisis
      • 9.3.1 Disparadores Schmitt monolíticos
    • 9.4 Problemas
  • 10. Generadores de señal
    • 10.1 Principios básicos de los osciladores sinusoidales
    • 10.2 Circuitos osciladores RC-OA
      • 10.2.1 Oscilador de puente de Wien
      • 10.2.2 Oscilador de cambio de fase
    • 10.3 Osciladores LC
    • 10.4 Osciladores de cristal
      • 10.4.1 Oscilador de cristal resonante en serie
      • 10.4.2 Oscilador de cristal resonante en paralelo
    • 10.5 Consideraciones prácticas de los osciladores sinusoidales
    • 10.6 Multivibrador astable
    • 10.7 Generador de una onda triangular
    • 10.8 Temporizadores integrados
    • 10.9 Generadores de señal monolíticos
    • 10.10 Problemas
  • 11. Reguladores de tensión
    • 11.1 Bloques funcionales de los Reguladores de tensión LINEALES
      • 11.1.1 Referencias de tensión
      • 11.1.2 Regulación de tensión en serie
      • 11.1.3 Circuitos de protección
    • 11.2 Reguladores de tensión lineales monolíticos
      • 11.2.1 Reguladores de tensión fija tri-terminal
      • 11.2.2 Reguladores de tensión ajustable tri-terminal
      • 11.2.3 Especificaciones de los reguladores de tensión
    • 11.3 Introducción a los Reguladores de conmutación y convertidores DC-DC
    • 11.4 Problemas
  • 12. Introducción a los tiristores
    • 12.1 Diodo de cuatro capas
      • 12.1.1 SIDAC o Silicon Diode for Alternating Current
      • 12.1.2 SBS o Silicon Bidirectional Switch
    • 12.2 Rectificador gobernado de silicio o SCR
    • 12.3 Activación o disparo y bloqueo de los tiristores
      • 12.3.1 Activación o disparo de un tiristor
      • 12.3.2 Bloqueo de un tiristor
    • 12.4 Regulación en potencia de un SCR
    • 12.5 Variantes del SCR
      • 12.5.1 Foto-SCR o LASCR
      • 12.5.2 GTO o Gate Turn-Off SCR
      • 12.5.3 PUT o Programmable Unijunction Transistor
      • 12.5.4 TRIAC o Triode for Alternating Current
      • 12.5.5 TRIAC con acoplado óptico (opto coupler TRIAC)
    • 12.6 El transistor UJT o de uni-unión
      • 12.6.1 Funcionamiento de un UJT
      • 12.6.2 Oscilador de relajación con UJT
    • 12.7 Algunas aplicaciones típicas de los tiristores
      • 12.7.1 Regulación de luz
      • 12.7.2 Control digital de potencia
      • 12.7.3 Control de velocidad de motores
      • 12.7.4 Cargador de baterías basado en un UJT
      • 12.7.5 Control de calor con sensor de temperatura
    • 12.8 Problemas
  • Bibliografía
  • Hojas de características de componentes electrónicos
    • BC546/7/8
    • 2N3903/04
    • 2N3905/06
    • 2N5457/58/59
    • 2N5460/62
    • µA741
    • LM339
    • LM117/317
    • MKP3V120/140
    • MBS4991/2/3
    • 2N5060
    • 2N6027/8
    • 2N2646
  • Principales fabricantes de equipos y componentes electrónicos
  • Índice analítico

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